كيف تشكل العيوب السطحية الإثارات والضوء المعزز في نقاط الكم الصغيرة جداً من CdSe

تظهر نقاط الكم الصغيرة جداً من CdSe (QDs) التي يصل قطرها إلى 2 نانومتر أطياف ضوء معزز (PL) واسعة على الأرجح بسبب الانبعاث من الإثارات عند حافة النطاق وحالات العيوب. ومع ذلك، فإن أصل انبعاث العيوب وتأثير العيوب على الإثارات عند حافة النطاق ليس مفهومة بالكامل. استنادًا إلى نظرية الكثافة الوظيفية للدوران والاصطدامات المفحوصة، نوضح أن عيوب الكادميوم والسيلينيوم تشكل حالات عيوب في الفجوة. بالمقارنة مع التجربة، نناقش دور حالات العيوب العميقة والسطحية في الPL ونغطي اعتماد مساهماتها في الPL بالنسبة لحجم QD. بالإضافة إلى ذلك، نلاحظ أن هذه العيوب تؤدي إلى توطين المدارات الجزيئية (MOs) المعنية بالإثارات عند حافة النطاق مما يخلق ثنائيات كهربائية كبيرة في MOs. في حالات الإثارة، تسبب هذه الثنائيات تدهور PL متعدد الأسية من حالات حافة النطاق مع استقطاب anisotropic عالي للانبعاث. ومن الملاحظ أن الاستقطاب حساس جداً بالنسبة لتكوين السطح الدقيق.