الصيغ التحليلية لزيادة الميكروبونشينج ونمو الإميتانس الناتجة عن إشعاع السنكروترون المتماسك في شقان ذي أربع انحناءات غير لونية

الإشعاعات المتماسكة للسنكروترون (CSR) المنبعثة من شعاع إلكتروني عالي السطوع أثناء النقل في مغناطيس منحني هي سيف ذو حدين في مسرعات الإلكترونات. بينما تسهم CSR في خلق حقل إشعاعي أقوى من الإشعاع غير المتماسك، فإنها تؤدي في الوقت نفسه إلى تدهور جودة شعاع الإلكترون. بشكل محدد، تظهر آثار CSR في زيادة انتشار طاقة الشعاع والإميتانس المتوقعة، وتضخيم عدم الاستقرار الميكروبونشينج. تقدم هذه الورقة صيغًا تحليلية لزيادة عدم الاستقرار الميكروبونشينج الناتج عن CSR ولمعدل نمو الإميتانس الناتج في شقان ذي أربع انحناءات غير لونية مع تضمين كل من آثار CSR المستقرة والانتقالية. تمت مقارنة الصيغ التحليلية وأظهرت توافقًا جيدًا مع حسابات فلاسوف ومحاكاة تتبع الجسيمات. يتم بعد ذلك تطبيق الصيغ التحليلية لتقييم آثار CSR في تصميم شقان ضاغط حزم عام غير لوني، مما يوفر تقديرًا سريعًا لزيادة الميكروبونشينج ونمو الإميتانس الناتج. من شقان على شكل C المتماثل إلى شقان على شكل S غير المتماثل، تقدم صيغنا التحليلية رؤى حول تطور زيادة الميكروبونشينج ونمو الإميتانس مع تغيرات معلمات التصميم. بالمقارنة مع محاكاة تتبع الجسيمات المستخدمة حاليًا لتحليل آثار CSR، فإن الصيغ التحليلية المقدمة في هذه الورقة تقلل بشكل كبير من وقت التقييم، مما يتيح دراسة منهجية للاعتماديات المعتمدة على المعلمات مع تضمين آثار CSR ضمن نطاقات معلمات التصميم المحددة.