تظهر هذه الدراسة حلولًا رئيسية للاندماج التام بين مفاتيح SiGe HBT، PDSOI و العناصر السلبية عالية الجودة من خلال التكامل الثلاثي الأبعاد المتسلسل. تم عرض مصيدة غنية محلية (LTR) مع عزلة ترددية قابلة للمقارنة مع ركيزة TR المتطورة، و HBT SiGe بارز يمكنه تحمل ميزانية حرارية من الدرجة الأولى. كما تم عرض مفتاح RFSOI عالي الأداء تم معالجته عند 600 درجة مئوية والذي يتميز بـ R<sub>ON</sub>×C<sub>OFF</sub>=96fs و RFV<sub>max</sub>=2.7V، مما يمثل اختراقًا كبيرًا. معًا، تمهد هذه النتائج الطريق نحو وحدة جبهية سيليكونية (FEM) بالكامل لمنظومات RF المتقدمة الفعالة من حيث التكلفة.
درس فاش وآخرون (Sat,) هذا السؤال.