نمو فيلم Ca5Si3 عن طريق MBE على ركيزة Si(111): التركيب والخصائص البصرية

في هذا العمل، تم زراعة أفلام سيلسيد الكالسيوم بواسطة طريقة MBE على ركيزة Si(111) عند درجة حرارة 500 °م مع نسب تدفق الإيداع NCa : NSi = 3.49، 3.98، وتم الكشف عن تشكيل فيلم Ca5Si3 متجانس بسمك يصل إلى 40 نانومتر، وقد تم إثبات ذلك بطريقة XRD. تم الكشف عن قمم انعكاسية في منطقة الانتقالات بين النطاقات عند 2.2، 2.75، 3.57 و4.4 إلكترون فولت، وشخصية شبه معدنية للانعكاس عند طاقات أقل من 0.5 إلكترون فولت، ونقل جزئي عند 0.4−1.25 إلكترون فولت وهيكل فونون فريد مع انزياحات رامان عند 102، 110، 124، 160، 190، 220، 241، 344 و379 سم−1 للمرة الأولى في طيف الانعكاس ورامان لفيلم Ca5Si3.