Key points are not available for this paper at this time.
نقدم دراسة نظرية للخصائص الهيكلية والإلكترونية لواجهة Si/Ge الزائفة الشكل، حيث تكون الطبقات مشدودة بحيث تكون المسافة بين الشقوق المتوازية مع الواجهة متساوية على الجانبين. تحدد الحسابات الذاتية الاتساق، المستندة إلى دالة الكثافة المحلية والجهود الزائفة الأولية، الهياكل الذرية والإجهادات ذات الحد الأدنى من الطاقة، ومحاذاة هياكل النطاقات لSi وGe. إن وجود الإجهادات يسبب تغييرات وانقسام كبيرين في نطاقات الكتلة. نحن نستخرج قيم عيوب النطاقات لواجهات (001)، (111)، و(110) تحت ظروف إجهاد مختلفة، ونتناول صلاحية طرق دالة الكثافة لتحليل مشكلة الواجهة. تم تضمين تأثيرات الانقسام الناتج عن اتجاه الدوران في نطاقات التكافؤ بالأثر المتأخر. نعبر عن نتائجنا من حيث العيوب في نطاقات التكافؤ، وإمكانات التشوه لنطاقات الكتلة، ونقارنها بالتجارب الحديثة على الهياكل غير المتجانسة Si/Si₁-ₗGeₗ.
قام والي وآخرون (الأربعاء) بدراسة هذا السؤال.