ترانزستورات الذاكرة الهجينة من الهاليدات الحديدية/الجزيئات العضوية الصغيرة من نوع رادلزدن-بوبير

يعد التحكم في شكل طبقات هاليدات المعادن الحديدية أثناء المعالجة أمراً حيوياً لتصنيع الأجهزة الضوئية. هنا، تم الإبلاغ عن استراتيجية للتحكم في البنية الدقيقة لأفلام هاليدات البيروكسايت من نوع رادلزدن-بوبير المعالجة باستخدام المحلول استناداً إلى بروميد الرصاص الفينيثيلأمونيوم ((PEA)2 PbBr4). تعتمد الطريقة على إضافة نصف الموصل العضوي 2،7-ديأوكتيل1بينزوثيوقين3،2-بينزوثيوفين (C8 -BTBT) إلى تركيب البيروكسايت، حيث تسهل تشكيل مناطق على شكل صفائح بجودة قريبة من البلورة الوحيدة من (PEA)2 PbBr4 مغطاة بطبقة رقيقة تبلغ حوالي 5 نانومتر من C8 -BTBT. تُظهر الترانزستورات ذات قنوات (PEA)2 PbBr4 /C8 -BTBT نافذة هيسترسيس كبيرة بشكل غير متوقع بين سحبات الجهد الأمامي والعودة. تشير التحليلات المادية والأجهزة المشتركة مع الحسابات النظرية إلى أن المرحلة الغنية بـ C8 -BTBT تعمل كقناة نقل الثقوب، بينما تعمل الآبار الكمومية في (PEA)2 PbBr4 كعنصر لتخزين الشحنات حيث يتم حقن الناقلات من القناة وتخزينها أو استخراجها عبر النفق. عند اختبارها كذاكرة غير متطايرة، تعرض الأجهزة نافذة ذاكرة قياسية (>180 فولت)، ونسبة تيار قناة الكتابة/الحذف مرتفعة (104)، واحتفاظ جيد بالبيانات، وقدرة عالية على التحمل (>104 دورة). تسلط النتائج هنا الضوء على مفهوم جهاز ذاكرة جديد للتطبيق في الإلكترونيات ذات المساحات الكبيرة، بينما يمكن استغلال تقنية النمو لتطوير أجهزة ضوئية أخرى بما في ذلك خلايا شمسية وكاشفات بيضاء وثنائيات باعثة للضوء.