ترانزستورات عضوية أحادية البلورة عالية الأداء على ركائز مرنة

تُستخدم بلورات عضوية أحادية مرنة وقابلة للتشكيل بسماكة تبلغ 150 نانومتر لصنع ترانزستورات أحادية البلورة من نوع تأثير المجال (FET) على ركائز بلاستيكية منخفضة التكلفة. نبلغ عن قابلية تأثير المجال الفعالة التي تصل إلى 4.6 سم² فولت⁻¹ ثانية⁻¹ لترانزستور أحادي البلورة من الروبرين، ونسبة تشغيل/إيقاف تبلغ حوالي 10⁶، وجهد عتبة قدره -2.1 فولت، وزاوية تحت عتبة موحدة تبلغ 0.9 فولت نانو فاراد لكل عقدة سنتيمتر². المعلومات الداعمة لهذا المقال متاحة على الشبكة العالمية تحت http://www.wiley-vch.de/contents/jc2089/2006/c0634s.html أو من المؤلف. يرجى الملاحظة: الناشر غير مسؤول عن محتوى أو وظائف أي معلومات داعمة مقدمة من المؤلفين. يجب توجيه أي استفسارات (بخلاف المحتوى المفقود) إلى المؤلف المراسل للمقالة.