التفرع المُستحث في أسلاك نانوية PbSe المحصورة

يتم وصف تخليق أسلاك نانوية PbSe ذات القطر الضيق (<10 نانومتر) المستقيمة والمتفرعة باستخدام طريقة المحلول البذري. يتم الحصول على أسلاك PbSe النانوية المعتمدة على المحلول عن طريق حقن محلول يتكون من سيلينيد ثلاثي أوكتيل الفوسفين (TOPSe) ونانوبلورات Au/Bi ذات النواة/الغلاف في خليط يتكون أساسًا من مذيب مُنسق معتدل، وحمض دهني، ومقدمات رصاص عند درجات حرارة معتدلة. تحتوي الأسلاك الناتجة على أقطار تتراوح بين 5 و 10 نانومتر وأطوال تتراوح من 1 إلى 5 ميكرومتر. تُظهر الخلايا المجهرية الإلكترونية الناقلة عالية الدقة (TEM) أن الأسلاك النانوية تعرض درجة عالية من البلورية وتنمو على طول اتجاهات 〈100〉 للشبكة البلورية. من خلال تغيير ظروف التفاعل الأولية، وخاصة نسبة مقدمة الرصاص إلى السيلينيوم، يمكن الحصول على أسلاك نانوية متفرعة. يبدو أن آلية النمو مماثلة لحالة أسلاك CdSe النانوية المتفرعة المناظرة، على الرغم من أن التركيب الأساسي لصخرة الملح ل PbSe يؤدي إلى زوايا قائمة وأشكال على شكل حرف T، على عكس CdSe حيث يتم ملاحظة الأشكال على شكل حرف V، وشكل Y، والأشكال الثلاثية بسبب تركيبها البلوري الأساسي من الزنك بليندي ووورزيت. بالإضافة إلى ذلك، يتم ملاحظة أسلاك نانوية "مدمجة-Y" وهياكل من درجات أعلى تعرض نقاط تفرع متعددة. كل من الأسلاك النانوية المستقيمة والمتفرعة لها أنصاف أقطار أقل بكثير من نصف قطر بوهر الإثارة الكثيف ل PbSe (46 نانومتر)، مما يفتح آفاقًا لدراسات بصرية وكهربائية مثيرة للاهتمام عن التقيد القوي في هذا النظام. كما أن التحقيق الحالي يلقي مزيدًا من الضوء على الآلية وراء التفرع المُستحث ذاتيًا في الأسلاك النانوية أحادية البعد (1D).