الكشف الضوئي المعتمد على الإجهاد باستخدام موصلات الضوء الطبقية من InSe

يعتبر تعديل فجوة الطاقة بشكل مضبوط ذا أهمية خاصة لأجهزة الإلكترونيات الضوئية من الجيل القادم، مما يتيح تطوير كواشف ومرسلات "نشطة" أو "قابلة لإعادة التشكيل". في أشباه الموصلات الطبقية المستندة إلى فان دير فالس، والتي تُظهر تحملًا عالٍ للإجهاد، أصبح الإجهاد أداة بارزة لضبط فجوة الطاقة بشكل نشط. في هذا العمل، نُظهر موصل ضوئي كبير مرن من InSe مزود ببوابة مع تعديل فجوة الطاقة الناجم عن الإجهاد، مما يؤدي إلى انتقال الطاقة إلى طاقات أعلى وأقل تحت الضغط والتوتر، على التوالي. تكشف قياسات الفوتولومينسنس عن معدلات انتقال تبلغ حوالي 117.1 ميإلكترون فولت·%–1 في حالة التوتر و107.6 ميإلكترون فولت·%–1 في حالة الضغط. تشير قياسات الاستجابة الطيفية إلى معدلات انتقال أصغر، على الأرجح بسبب تطبيق الإجهاد غير المتساوي. ومن الجدير بالذكر أن هذه الأجهزة المرنة تحقق أداءً مثيرًا للإعجاب مع حساسية نوعية تصل إلى 3.78 × 10^12 سم·هرتز^1/2·وات–1، وزمن صعود قدره 4.1 ميكروثانية، واستجابة قدرها 1.25 × 10^3 أ·وات–1. إن تحقيق استجابة عالية وأوقات استجابة سريعة يبرز إمكانيات هندسة هذه الأجهزة لتطبيقات الإلكترونيات الضوئية المتقدمة.