بلورات In2Ge2Te6 ثنائية الأبعاد لترانزستورات القناة السالبة عالية الأداء

تعتبر أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد (2D) مواد مثالية للقنوات لترانزستورات عالية السرعة، منخفضة الطاقة في عصر ما بعد مور نظرًا لحركتها العالية وقدرتها الممتازة على التحكم في البوابة. ومع ذلك، فإن معظم أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد الموجودة تميل إلى عرض سلوك من النوع n أو السلوك ثنائي القطب. يحدد توافر أشباه الموصلات ثنائية الأبعاد من النوع p الأصيلة بشكل كبير تطبيقاتها في الدوائر المنطقية والدوائر المتكاملة. هنا، نقدم الاكتشاف التجريبي لبلورات In2Ge2Te6 أحادية الجودة العالية، والتي تتميز بهيكل طبقي وتظهر طبيعة من النوع p مع كتلة فعالة منخفضة للحفر تبلغ 0.27 m0. تظهر رقائق In2Ge2Te6 ثنائية الأبعاد، المُستخرجة من البلورات الكبيرة، استقرارًا جيدًا في الهواء، مع تغيرات تعتمد على السمك في قمم رامان والفجوات الطيفية. علاوة على ذلك، نجحنا في تطوير ترانزستورات القناة السالبة ثنائية الأبعاد In2Ge2Te6 عالية الأداء، محققين حركة حفر ونسبة تيار تشغيل/إيقاف تصل إلى 43 سم2 فولت–1 ثانية–1 و105 عند درجة حرارة الغرفة، على التوالي. وبالتالي، تظهر In2Ge2Te6 كأشباه موصلات ثنائية الأبعاد من النوع p واعدة للإلكترونيات من الجيل المقبل.