هياكل الترانزستور لدراسة مقياس الأنابيب الكربونية النانوية

نقدم تقريرًا عن تصنيع وتوصيف كهربائي لترانزستورات تأثير الحقل من الأنابيب الكربونية النانوية (CNFETs) ذات البنية الفريدة. تم تصميم هذه الأجهزة لتسليط الضوء على جوانب مختلفة من سلوكها الكهربائي عند التبديل، حتى نتعرف أكثر على خصائص النقل الخاصة بها. في هيكل واحد، تم بناء ترانزستورات CNFETs ذات البوابة الخلفية لدراسة تأثيرات التمدد العمودي من خلال تغيير سمك عازل البوابة عالي الجودة الأساسي. لوحظ اعتماد غير متوقع لحد الميل تحت العتبة والتوصيلية على سمك عازل البوابة، وقد نُسب ذلك إلى تبديل الحاجز شوتكي عند نقاط اتصال المعدن/الأنبوب. يتضمن الهيكل الثاني electrode للبوابة العليا مع مقاطع متعددة، قابلة للعنونة بشكل فردي، بعرض مختلف. يفصل هذا التصميم داخل الجهاز عن الاتصال، مما يمكّن من دراسة التمدد الجانبي ضمن نفس بنية الجهاز الفيزيائية. تم ملاحظة مؤشرات واضحة على التبديل الكتلي في هذا الجهاز، مع أدلة قوية على النقل بالكرة، مما يشير إلى أن CNFETs لا تتبع قواعد مقياس طول البوابة التقليدية.