مفاتيح الترددات الراديوية المعتمدة على تقنيات الذاكرة المقاومة الناشئة - مسح

تلعب مفاتيح الترددات الراديوية (RF) عالية الأداء دورًا حاسمًا في تمكين أجهزة الإرسال والاستقبال الراديوية من الوصول إلى الموارد المشتركة مثل الهوائيات. كما أنها مهمة، خاصة في أجهزة الراديو القابلة لإعادة التكوين، حيث يمكن تغيير الاتصالات داخل وبين الكتل المختلفة (مثل الفلاتر، والمضخمات، والم mixers). لتحقيق هذه الإمكانية، هناك حاجة إلى مفاهيم جديدة لأجهزة مفاتيح RF التي يمكن دمجها مع عملية الترانزستور القياسية، مع توفير أداء نقل أفضل، واستهلاك طاقة أقل، ومساحة أصغر، وفولتية تنشيط أقل من تقنيات مفاتيح RF الحالية مثل ترانزستورات تأثير المجال (FETs) وأنظمة الميكرو الكهروميكانيكية (MEMSs). مؤخرًا، تم اقتراح مفاتيح RF استنادًا إلى تقنيات الذاكرة الناشئة، مثل ذاكرة رام الجسر الموصل (CBRAM)، وذاكرة رام المقاومة (ReRAM)، وذاكرة تغيير الطور (PCM). هذه المفاتيح ذات النانو تقدم مزايا رئيسية، مثل التردد القطعي العالي، واللاستقرارية، والتبديل السريع والمنخفض الطاقة، والمساحة الصغيرة، والتوافق مع نهاية السطر الخلفية (BEOL) لعملية CMOS القياسية، مما يجعلها مرشحة محتملة لمفاتيح RF عالية الأداء. تستعرض هذه المقالة مفاتيح RF عالية الأداء المعتمدة على الذاكرات المقاومة، وتقارنها مع تقنيات التبديل RF الناضجة مثل RF MEMS، وصمامات الدايود p-i-n، وFETs. نحن نناقش الآليات الفيزيائية، وبنية الجهاز، وخصائص الأداء، وتطبيقات هذه المفاتيح الجديدة. علاوة على ذلك، نستعرض الآفاق واتجاهات الأبحاث المستقبلية لهذه التقنيات التي قد تؤدي إلى اعتمادها على المستوى الصناعي.