ひずみ誘起によるグラフェンスピンバルブの導電率およびスピン転送トルクの調整

Key Points

• 導入されたひずみの下で導電率が大幅に増加し、グラフェンスピンバルブの性能向上を示しています。
• 著しい指標として、ひずみを適用することでスピン転送トルクが20％増加し、デバイスの効率を向上させています。
• さまざまなひずみレベルにわたる観察分析は、ひずみがどのように電子特性を効果的に調整できるかを示しています。
• 影響は、グラフェンスピンバルブにおけるひずみ工学の統合がデバイスの応用を改善する可能性があることを示唆しています。