دراسة وتصميم مقوم فعال ومحدد جهد تيار مستمر لعلامة RFID سلبية في تقنية CMOS 180 نانومتر

في هذه الورقة، تم تقديم مقوم CMOS عالي الكفاءة في حصاد طاقة التردد اللاسلكي (RF) ونقل الطاقة اللاسلكية باستخدام جهد بدء منخفض، يليه محدد جهد منخفض الطاقة بهدف تحسين أداء علامة RFID (تحديد الهوية بالترددات الراديوية) السلبية UHF (التردد العالي جدًا). تظهر نتائج المحاكاة لمدخل RF بقدر 900 ميجاهرتز وإشارات مدخل منخفضة أن تكوين الدائرة المقومة المكونة من خمس مراحل يحقق كفاءة تحويل طاقة استثنائية (PCE)، على سبيل المثال: PCE 40.81% لـ Pin = -5 dBm و31.25% لـ Pin = -10 dBm، وتصل إلى 68.95% لـ Pin = 14 dBm. عندما تزداد قوة دخل RF، وخاصة عندما يكون القارئ والوسم قريبين، يصبح من الضروري حماية الدوائر الأمامية التناظرية لعلامة RFID من الضرر، لذا فإن استخدام محدد جهد يكون أمرًا حاسمًا. في هذا السياق، تم تطوير دائرة محدد جهد. يعتمد تصميم محدد الجهد المتوقع على استغلال المرايا متعددة الأطراف، وتظهر نتائج المحاكاة لدينا أن الجهد المحدد هو 1.94 فولت. لاحظ أن كلاً من معماريتي هذه الدوائر المقترحة (مقوم + محدد) تم تصميمها في تقنية CMOS قياسية 180 نانومتر.