En el presente estudio, se ha analizado la estructura electrónica y las propiedades ópticas del diamante dopado con P-2B utilizando cálculos de primeros principios basados en funciones generalizadas HSE06. De los 15 complejos que consideramos, se identificaron y estudiaron las cinco estructuras más estables: sistema BCPCB, sistema PCCBCB, sistema PCBCCB, sistema PCBBCB y sistema PBCB, y se encontró que la brecha de banda se reduce de 5.496 eV de diamante intrínseco a 3.610, 3.210, 3.210, 3.210 y 3.250 eV, respectivamente. Notablemente, el sistema dopado con BCPCB exhibió cambios significativos en las propiedades ópticas: la constante dieléctrica estática aumentó de 4.18 a más de 45, la parte real de la conductividad mostró un nuevo pico a 2.0 eV (11) con un espectro desplazado hacia el rojo, el borde de absorción de luz se desplazó hacia el rojo, el índice de refracción estático aumentó de 2 a 25, y se observó un pico pronunciado a 2.5 eV (16). Estos estudios teóricos buscan apoyar la investigación experimental sobre el dopaje P-2B en diamante para lograr conductividad tipo p y propiedades ópticas mejoradas.
Li et al. (Vie,) estudiaron esta cuestión.