Resumen Las fuentes de plasma acopladas inductivamente (ICP) son efectivas para generar plasma de alta densidad a baja presión y se utilizan ampliamente en procesos de grabado. Entre estas, el plasma basado en halógenos se ha convertido en un foco de investigación significativo debido a su flexible y ajustable camino de grabado químico, alta tasa de grabado y excelente anisotropía de grabado. En este estudio, se han simulado plasmas de HBr/Cl2/Ar utilizando un modelo global de plasmas acoplados inductivamente desarrollado de forma independiente. La fiabilidad del modelo se verifica mediante mediciones experimentales utilizando una sonda de corte y comparaciones con otros resultados de simulación. Este estudio encontró que la densidad de los átomos de Cl y H, a diferencia de los átomos de Br, exhibe una variación no monótona con la presión y el contenido de Ar. Esto se debe a la diferencia entre los principales mecanismos de producción y pérdida de estos átomos. Adicionalmente, las curvas de fracción de disociación de los átomos de Br y Cl exhiben un punto de inflexión al ajustar el contenido de Cl2. El estudio encontró que las posiciones de estos puntos de inflexión están estrechamente relacionadas con las densidades moleculares de HCl y BrCl.
Chen et al. (Jue,) estudiaron esta cuestión.