Los puntos clave no están disponibles para este artículo en este momento.
La longitud de onda del infrarrojo de onda corta (SWIR), especialmente 1.55 μm, ha atraído una atención significativa en diversas áreas como la comunicación óptica de alta velocidad y los sistemas LiDAR. Los fotodiodos de avalancha (APDs) son un componente crítico como receptor en estos sistemas debido a su ganancia interna, que mejora el rendimiento del sistema. Los APDs basados en silicio son prometedores ya que son compatibles con CMOS, pero están limitados en la detección de luz de 1.55 μm. Este estudio propone una heterounión de Si tipo p sobre GaAs0.51Sb0.49 (GaAsSb) tipo n ajustada a sustratos de InP formada mediante una técnica de injerto para la futura tecnología de APD GaAsSb/Si. Una nanomembrana p+Si se transfiere al sustrato GaAsSb/AlInAs/InP, con un óxido ALD-Al2O3 ultrafino en la interfaz, que actúa como capas de pasivación de doble lado y túnel cuántico. Los dispositivos exhiben una excelente morfología de superficie y calidad de interfaz, confirmadas por microscopía de fuerzas atómicas y microscopía electrónica de transmisión. Además, la corriente–voltaje (I–V) de la heterounión p+Si/n−GaAsSb muestra características de rectificación con un factor de idealidad de 1.8. Las pruebas I–V en múltiples dispositivos confirman alta consistencia y rendimiento. Además, la medición de espectroscopía de fotoelectrones de rayos X revela que GaAsSb y Si tienen una alineación de banda tipo II con un desplazamiento de banda de conducción de 50 meV, lo cual es favorable para la aplicación de APD de alto ancho de banda. La demostración de la heterounión GaAsSb/Si resalta el potencial para avanzar en las tecnologías actuales de PD SWIR.
Abbasi et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.