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Resumen Los moduladores electro-ópticos basados en niobato de litio en película delgada (TFLN) tienen amplias aplicaciones en comunicaciones ópticas de banda ancha debido a su amplio ancho de banda, alto ratio de extinción y baja pérdida óptica. Sin embargo, en comparación con sus contrapartes basadas en silicio y fosfuro de indio (InP), TFLN exhibe una menor eficiencia de modulación. Lograr simultáneamente un bajo voltaje de conducción y un amplio ancho de banda de modulación representa un desafío significativo. Para abordar esta limitación, este trabajo propone una película de óxido conductor transparente en el dispositivo, lo que resulta en una ultra-alta eficiencia de modulación de 1.02 V cm. El electrodo compuesto fabricado no solo alcanza una alta eficiencia de modulación, sino que también mantiene un alto ancho de banda electro-óptico, como lo evidencia la caída de 3 dB a 108 GHz y la transmisión de señales PAM-4 a 224 Gbit s −1. El dispositivo fabricado ofrece soluciones novedosas para moduladores de bajo costo y alto rendimiento, facilitando así la reducción de tamaño de los chips transmisores ópticos de múltiples canales basados en TFLN.
Meng et al. (Sat,) estudiaron esta cuestión.