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Los efectos flexoelectricos en materiales pueden aportar propiedades físicas novedosas que están ausentes en su cristal perfecto, y tienen una amplia gama de aplicaciones, como sensores mecánicos y nanogeneradores triboelectricos arrugados. En este trabajo, se investigan las estructuras electrónicas y las propiedades de transporte del monocapa -In₂Se₃ doblado a través de cálculos de primeros principios y la función de Green de no equilibrio (NEGF). Encontramos que se pueden obtener dos tipos diferentes de estructuras de banda tipo-II en \~{}P y \~{}P doblado -In₂Se₃, que muestran una curvatura de banda opuesta. Los portadores en el centro de \~{}P y \~{}P doblado -In₂Se₃ son principalmente huecos y electrones, respectivamente, que dominan el comportamiento de la corriente del transistor de efecto de campo (FET) p-i-n (PIN) de -In₂Se₃. El \~{}P PIN-FET tiene una corriente directa mejorada y una relación de rectificación debido a la mayor densidad de huecos. Nuestro estudio logra la unión homogénea a través de -In₂Se₃ doblado, lo que puede simplificar el procesamiento del dispositivo y ser utilizado como sensores electromecánicos.
Chen et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.