Modulación de Polaridad Eléctrica en WS2 de Monocapa Doped V para Inversores CMOS Homogéneos

A medida que la demanda de una mayor densidad de integración y dispositivos más pequeños aumenta, los dispositivos de semiconductor de óxido metálico complementario (CMOS) a base de silicio pronto alcanzarán sus límites finales. Los semiconductores de dicálcogenuros de metales de transición en 2D (TMDs), conocidos por su excelente rendimiento eléctrico y estructura atómica estable, son vistos como materiales prometedores para circuitos integrados futuros. Sin embargo, la dopaje controlada y confiable de los TMDs en 2D, un paso clave para crear componentes lógicos CMOS homogéneos, sigue siendo un desafío. En este estudio, se presenta una modulación continua de polaridad eléctrica de WS de monocapa.