Crecimiento epitaxial de Ca(Ge1−xSnx)2 con capas 2D del grupo IV sobre sustrato de Si

Resumen El material bidimensional (2D) está atrayendo una considerable atención como un material termomecánico prometedor. Este estudio establece el método de formación de materiales 2D intercalados por Ca de grupo IV renovados, cristales de Ca(Ge1−xSnx)2 que incluyen capas 2D basadas en germaneno. La epitaxia en fase sólida nos permite formar Ca(Ge1−xSnx)2 epitaxial sobre Si. La microscopía de fuerza atómica revela que el Ca(Ge1−xSnx)2 tiene estructuras de islas. La difracción de rayos X comprobó el crecimiento epitaxial de las estructuras de islas de Ca(Ge1−xSnx)2 y el aumento de la constante de red del eje c con el aumento del contenido de Sn. La formación de este compuesto intermetálico renovado que incluye una capa 2D del grupo IV abre una vía para generadores termoelectricos de alto rendimiento/Si.