Conmutación Térmica Resistiva Interfacial en Dispositivos (Pt,Cr)/SrTiO3

El funcionamiento de dispositivos memristivos a base de óxido se basa en la rápida acumulación y depleción de vacantes de oxígeno por un campo eléctrico cercano a la interfaz metal-óxido. Aquí, mostramos que el cambio reversible de la concentración local de vacantes de oxígeno en esta interfaz también produce un cambio en la resistencia térmica de frontera (TBR), es decir, un efecto de conmutación térmica resistiva. Utilizamos termorreflectancia en el dominio de frecuencia para monitorear la TBR interfacial metal-óxido en dispositivos (Pt,Cr)/SrTiO3, mostrando un cambio de ≈20% bajo voltajes de operación SET/RESET habituales, dependiendo de la estructura del dispositivo. Experimentos de relajación térmica dependientes del tiempo sugieren un rearrangement iónico a lo largo de toda el área de la interfaz metal/óxido, aparte del filamento iónico responsable de la conmutación de la conductividad eléctrica. Los experimentos presentados en este trabajo proporcionan un valioso conocimiento sobre la dinámica de los iones de óxido en dispositivos memristivos basados en redox.