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En la última década, una de las historias más importantes en semiconductores ha sido la sorprendente eclipsación del silicio tradicional en el campo de la electrónica de potencia, donde el carbide de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) han capturado segmentos del mercado por valor de miles de millones de dólares. Y a medida que las aplicaciones principales cayeron en manos de estos recién llegados, surgió de manera natural una pregunta. ¿Cuál sería el próximo nuevo semiconductor de potencia?
Zorpette et al. (Fri,) estudiaron esta pregunta.
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