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Debido a su excelente rendimiento material, el transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) AlGaN/GaN proporciona una amplia plataforma para la biosensibilidad. La alta densidad y movilidad del gas electrónico bidimensional (2DEG) en la interfaz AlGaN/GaN inducida por el efecto de polarización y la corta distancia entre el canal de 2DEG y la superficie pueden mejorar la sensibilidad de los biosensores. La alta estabilidad térmica y química también puede beneficiar el funcionamiento de los biosensores basados en HEMT bajo, por ejemplo, altas temperaturas y entornos químicamente agresivos. Esto hace posible la creación de biosensores con excelente sensibilidad, selectividad, fiabilidad y repetibilidad utilizando materiales semiconductores comercializados. Para sintetizar los recientes desarrollos y ventajas en este campo de investigación, revisamos las diversas estructuras, mecanismos de operación y aplicaciones de los biosensores basados en HEMT AlGaN/GaN. Esta revisión ayudará a nuevos investigadores a aprender la información básica sobre el tema y contribuirá al desarrollo de la próxima generación de biosensores basados en HEMT AlGaN/GaN.
Li et al. (Wed,) estudiaron esta cuestión.