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En este trabajo, se realizaron caracterizaciones estáticas y dinámicas completas para los últimos MOSFETs de carburo de silicio (SiC) de 6.5 kV desde temperatura ambiente hasta 175°C. Se desarrolló un conjunto de pruebas de carga inductiva sujeta personalizada para evaluar el rendimiento de conmutación y las pérdidas de los dispositivos SiC de medio voltaje (MV). Se analizaron y redujeron las trayectorias de conexión a tierra debido a las capacitancias parásitas en el conjunto de pruebas para mitigar impactos en la detección de la corriente de drenaje durante el período de conmutación. Además, utilizando estos últimos MOSFETs de 6.5 kV, se propone un convertidor resonante en serie (SRC) de 25 kW totalmente SiC para permitir una conversión de CC a CC de una sola etapa de 3 kV a 540 V (± 270 V), dirigido a aplicaciones en futuros aviones eléctricos con distribución MVDC a bordo. El SRC propuesto consiste en una etapa de medio puente de 2 niveles utilizando MOSFETs discretos de SiC de 6.5 kV en el lado primario, un convertidor de puente completo utilizando módulos de MOSFET SiC de 900 V en el lado secundario y un transformador de alta frecuencia. En comparación con un convertidor de 3 niveles con punto neutro sujeto utilizando MOSFETs discretos de SiC de 3.3 kV, la eficiencia y la densidad de potencia del convertidor basado en dispositivos SiC de 2 niveles de 6.5 kV se incrementan. Para validar la efectividad del diseño del SRC propuesto, se desarrolla un prototipo de convertidor y se realizan estudios experimentales completos.
Du et al. (Sun,) estudiaron esta cuestión.