Resumen El niobato de litio en película delgada (TFLN) ha permitido la modulación electro-óptica eficiente en chip y la conversión de frecuencia para el procesamiento de información y medición de precisión. Ampliar estas capacidades con peines de frecuencia óptica desbloquea operaciones masivamente paralelas y transducción coherente de óptico a microondas, que son alcanzables en microresonadores TFLN a través de microcombs Kerr. Sin embargo, los microcombs Kerr totalmente integrados impulsados directamente por láseres semiconductores siguen siendo elusivos, lo que ha retrasado la integración de estas tecnologías. Aquí, demostramos microcombs Kerr TFLN bombeados eléctricamente sin amplificación óptica. Con un acoplamiento láser-chip optimizado y factores de calidad óptica, generamos microcombs solitón a una frecuencia de repetición de 200 GHz con un rango óptico de 180 nm usando solo 25 mW de potencia de bombeo. Además, el bloqueo por auto-inyección permite la iniciación lista para usar y reduce sustancialmente el ancho de línea del láser. Nuestro trabajo proporciona fuentes de peine integradas para aplicaciones comunicacionales, computacionales y metrológicas basadas en TFLN.
Lv et al. (Wed,) estudiaron esta cuestión.
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