Dopaje localizado de galio asistido por láser ultravioleta y pasta de silicio en emisores selectivos para celdas solares TOPCon de alta eficiencia

Puntos clave

• Se logran celdas solares de alta eficiencia a través del dopaje localizado de galio.
• El proceso utiliza tecnología de láser ultravioleta y aplicaciones de pasta de silicio.
• El dopaje localizado de galio mejora significativamente las métricas de rendimiento de los emisores selectivos.
• Los hallazgos destacan un posible avance para los métodos de fabricación de celdas solares en el futuro.