Mejora del rendimiento de arreglos de micro-LED basados en AlGaN de ultravioleta profundo optimizando la potencia de radiofrecuencia del grabado por plasma acoplado inductivamente

El grabado por plasma acoplado inductivamente (ICP) es un paso clave en la fabricación de dispositivos de diodos emisores de luz micro (Micro-LEDs) basados en AlGaN de ultravioleta profundo (DUV). Al optimizar los parámetros de potencia de radiofrecuencia (RF) durante el proceso de grabado ICP, se podría adoptar una potencia RF apropiada para reducir daño de grabado y pérdida de luz durante el proceso de transmisión de luz. En este trabajo se puede obtener que el empleo de una potencia RF demasiado alta durante el proceso ICP introducirá más defectos en la región activa, que formarán más centros de recombinación no radiativa y reducirán la vida útil de los portadores y la eficiencia de inyección. Sin embargo, el empleo de una potencia RF demasiado baja llevará a ángulos de grabado más pequeños, lo que aumentará la pérdida de luz durante el proceso de transmisión de luz. En este estudio, se fabricaron arreglos de Micro-LED DUV basados en AlGaN con una longitud de onda de emisión de 278 nm utilizando una potencia RF óptima de 100 W. Este enfoque mitigó significativamente tanto el daño a las paredes laterales como la pérdida de transmisión óptica, resultando en una mejora del 17.4% en la potencia de salida de luz.