グラファイト層間へアニオンが挿入・脱離する反応は,二次電池やハイブリッドキャパシタにおける正極の蓄電反応として注目されている.一般的に,グラファイトへのアニオン挿入・脱離は4.5 V (vs. Li+/Li)以上の高電位で生じるため,この条件に耐えうる高い酸化耐性を示すフッ素化合物アニオンが,有望な挿入種として検討されてきた.近年では,種々のサイズをもつフッ素化合物アニオンの挿入・脱離反応が検討されており,本稿ではそれらの結果を概観するとともに,グラファイト正極設計の課題と今後の展望を示す.
Ito et al. (Wed,) studied this question.