RESUMEN La supresión de la corriente oscura mientras se mejora la corriente fotográfica sigue siendo un desafío crítico en los fotodetectores. Optimizar la estructura de los dispositivos optoelectrónicos y seleccionar materiales optoelectrónicos apropiados para lograr una mejora del rendimiento general siempre ha sido el objetivo de los investigadores. Introducimos un fotodetector Al/p‐Si/Al 2 O 3 /ZnO/2‐Au que se basa en una arquitectura acoplada de tres electrodos al insertar un aislante ultradelgado de Al 2 O 3 entre p‐Si y ZnO. Aprovechando la capa dieléctrica ultradelgada, las uniones Schottky y el acoplamiento de tres electrodos, remodelamos la distribución de carga de tal manera que la orientación del campo eléctrico dominante cambia de vertical (dispositivo de dos electrodos) a lateral (dispositivo de tres electrodos). Esto suprime la corriente oscura a 2.95 × 10 −9 A a 10 V. A un sesgo de 5 V, una longitud de onda de 365 nm y una densidad de potencia de iluminación de 0.688 µW/cm 2 , el dispositivo proporciona una responsividad de corriente fotográfica (R) de 662 A/W, una detectividad específica (D*) de 2.15 × 10 16 Jones, una eficiencia cuántica externa (EQE) del 2252 % y tiempos de subida/bajada de conmutación de 0.10/0.11 s.
Wei et al. (Fri,) estudiaron esta cuestión.