Los selectores de conmutación umbral ovónicos (OTS) basados en calcógenos son esenciales para aplicaciones de memoria y computación de alta densidad, sin embargo, sus mecanismos de conmutación siguen siendo controvertidos debido a la falta de evidencia estructural directa en materiales amorfos. En este estudio, se utiliza la difusión de nitruro de titanio (TiN) como un trazador natural para mapear la ubicación espacial de los caminos conductores en dispositivos OTS basados en As2Se3 utilizando microscopía electrónica de transmisión en cuatro dimensiones combinada con difracción electrónica de haz de ångstrom. Los resultados revelan que los clústeres de TiN del electrodo forman caminos conductores continuos dentro de la matriz amorfa, proporcionando así evidencia directa del comportamiento de conmutación filamentaria. Además, mediante la introducción de una capa interfacial de carbono para controlar la difusión, se logra una corriente de fuga ultra baja de 8 pA en dispositivos OTS basados en As2Se3. Este trabajo no solo avanza la comprensión fundamental de los mecanismos de conmutación en dispositivos OTS, sino que también ofrece una guía práctica de diseño para desarrollar selectores altamente confiables en la comunidad de memoria.
Shi et al. (jue,) estudiaron esta cuestión.