El efecto de sesgo de intercambio (EB), que surge en la interfaz entre materiales ferromagnéticos (FM) y antiferromagnéticos (AFM), juega un papel crítico en la memoria de acceso aleatorio magnético al anclar la capa FM. Tradicionalmente, el signo y la magnitud del campo de sesgo de intercambio (HEB) se establecen mediante enfriamiento por campo. Aquí, demostramos el control isotérmico de HEB en heteroestructuras van der Waals Fe3GeTe2/(Fe0.6Co0.4)5GeTe2 (FGT/FCGT) mediante un protocolo de barrido de campo magnético asimétrico, eliminando la necesidad de enfriamiento por campo. Sin enfriamiento por campo, el barrido de un campo positivo grande a uno negativo pequeño (o viceversa) genera un HEB ajustable que se escala con la asimetría del barrido, alcanzando magnitudes de hasta ∼32 mT. A través de la medición del efecto Kerr magneto-óptico, observamos que el EB se extiende más allá de la interfaz FGT/FCGT superpuesta en áreas de FGT desnudas, indicando un anclaje de dominio colectivo de largo rango. Este comportamiento se atribuye a la polarización de espín inducida por defectos y a la formación de configuraciones de dominio no equilibradas en el AFM tipo A FCGT. Este enfoque sin enfriamiento por campo proporciona un mecanismo de baja potencia y reversible para manipular el magnetismo interfacial, ofreciendo un camino simplificado hacia dispositivos espintrónicos van der Waals reconfigurables.
Guo et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.