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Los disulfuros de metales de transición bidimensionales (TMD), como el disulfuro de molibdeno (MoS2), han suscitado un interés de investigación sustancial en los últimos años, motivando la búsqueda de nuevas estrategias sintéticas. Recientemente, se ha informado que las sales halogenadas promueven el crecimiento por deposición química de vapor (CVD) de una amplia gama de TMD. Sin embargo, los mecanismos y reacciones subyacentes que promueven este proceso son en gran parte desconocidos. Aquí, empleamos cálculos de primeros principios y simulaciones de dinámica molecular ab initio (AIMD) para investigar los mecanismos moleculares detallados durante el crecimiento asistido por sal de monocapas de MoS2. La sulfuración de los oxyhaluros de molibdeno MoO2X2 (X = F, Cl, Br y I), la forma de materia prima de Mo que domina en la síntesis asistida por sal, ha sido explorada y muestra barreras de activación mucho más bajas que las del óxido de molibdeno presente durante el crecimiento convencional sin sal de MoS2. Además, las barreras limitantes de velocidad parecen depender linealmente de la electronegatividad del elemento halógeno, siendo el oxyiodido el que presenta la menor barrera. Nuestro estudio revela los mecanismos de promoción de los haluros y permite la optimización de parámetros de crecimiento para lograr un crecimiento aún más rápido de monocapas de MoS2 en la síntesis CVD.
Lei et al. (Fri,) estudiaron esta cuestión.