Estudio Raman de la interacción entre vibraciones localizadas y excitaciones electrónicas en silicio dopado con boro

Se estudia el espectro Raman de las vibraciones localizadas de boro en silicio altamente dopado en función de la frecuencia del láser de excitación. Las formas de línea resultantes son marcadamente asimétricas y muestran una dependencia pronunciada de la frecuencia de la línea de láser de excitación. Estos resultados se explican como interferencia del tipo Fano entre un continuo de excitaciones electrónicas activas en Raman debido a los huecos libres y la dispersión vibrónica discreta de modo localizado. Este efecto se compara con la influencia de los huecos libres en el espectro Raman del fonón óptico del centro de la zona. A partir de esta comparación, se extraen conclusiones sobre el efecto de las impurezas de boro en la estructura de bandas electrónicas y se estiman algunos potenciales de deformación asociados con las vibraciones localizadas.