Transistores Multicapa de MoS2 de Alto Rendimiento con Contactos de Escandio

Si bien ha habido un creciente interés en los cristales bidimensionales (2-D) distintos del grafeno, la evaluación de su utilidad potencial para aplicaciones electrónicas aún está en su infancia debido a la falta de una imagen completa de su potencial de rendimiento. El enfoque de este artículo se centra en los contactos. Demostramos que, a través de una comprensión y diseño adecuados de los contactos de fuente/drenaje y la elección correcta del número de capas de MoS(2), se pueden aprovechar las excelentes propiedades intrínsecas de este material 2-D. Utilizando contactos de escandio en copos de MoS(2) exfoliados de 10 nm de grosor que están cubiertos por una película de Al(2)O(3) de 15 nm, se logran altas movilidades efectivas de 700 cm(2)/(V s) a temperatura ambiente. Este avance se atribuye en gran medida al hecho de que logramos eliminar los efectos de resistencia de contacto que limitaban el rendimiento del dispositivo en el pasado sin ser reconocidos. De hecho, la aparente dependencia lineal de la corriente respecto a la tensión de drenaje había llevado a los investigadores a creer que ya se había logrado un contacto verdaderamente óhmico, un concepto erróneo que también elucidamos en el presente artículo.