Las influencias de la teoría hiperbólica de dos temperaturas en la propagación de ondas en un material semiconductor que contiene una cavidad esférica

Este artículo se centra en el estudio del desplazamiento radial, la densidad de portadores, las temperaturas conductoras y termodinámicas y las tensiones en un medio semiconductor con un agujero esférico. Este estudio aborda las interacciones foto-termoelásticas en un material semiconductor que contiene una cavidad esférica. Se utiliza la nueva teoría hiperbólica de dos temperaturas con un retraso temporal. La superficie interna de la cavidad está restringida y la densidad de portadores es fotogenerada por un flujo de calor en los límites de pulso en disminución exponencial. Se utilizan soluciones analíticas mediante el enfoque de valores propios bajo aproximaciones de transformación de Laplace para obtener la solución del problema, y la inversión de las transformaciones de Laplace se realiza numéricamente. Los resultados numéricos para materiales semiconductores se presentan gráficamente y se discuten para mostrar las variaciones de las magnitudes físicas bajo el modelo presente.