Crecimiento de Cristales del Semiconductores de Perovskita CsPbBr3: Un Nuevo Material para la Detección de Radiación de Alta Energía

La síntesis, el crecimiento cristalino y la caracterización estructural y optoelectrónica se han llevado a cabo para el compuesto de perovskita CsPbBr3. Este compuesto es un semiconductor de banda prohibida directa que cumple con la mayoría de los requisitos para la detección exitosa de radiación de rayos X y γ, como alta atenuación, alta resistividad y una respuesta fotoconductiva significativa, con una resolución de detector comparable a la de materiales comerciales de última generación. Una transición de fase estructural que ocurre durante el crecimiento cristalino a temperaturas más altas no parece afectar su calidad cristalina. Su producto μτ para portadores de huecos y electrones es aproximadamente igual. El producto μτ para electrones es comparable al telururo de cadmio y zinc (CZT) y el de huecos es 10 veces mayor que el de CZT.