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Se estudian los efectos de la variación de los parámetros del proceso de planarización química mecánica (CMP) sobre la hidrodinámica de la suspensión y la tasa de remoción utilizando modelos basados en la física. Los dos modelos que se desarrollan para describir y entender fundamentalmente el proceso CMP son (i) el modelo de lubricación para el flujo de la suspensión y (ii) el modelo de transporte de masas para la remoción de material. El modelo de transporte de masas se desarrolla para CMP de cobre. Se identifican condiciones para una operación estable y una reducción del rayado del wafer a partir del modelo de lubricación. El modelo de transporte de masas tiene en cuenta la reacción química en la superficie del wafer, la hidrodinámica del flujo de la suspensión y la presencia de partículas abrasivas. Las tasas de pulido predichas por el modelo concuerdan bien con las medidas experimentalmente. © 1999 The Electrochemical Society. Todos los derechos reservados.
Sundararajan et al. (Mon,) estudiaron esta pregunta.
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