Saturación del régimen de fuerte acoplamiento en una microcavidad semiconductora: Blanqueo de portadores libres de polaritones de cavidad

Presentamos datos experimentales sobre la saturación del régimen de fuerte acoplamiento en microcavidades semiconductoras basados en mediciones de fotoluminiscencia dependientes de la intensidad. La saturación se puede entender en términos del apantallamiento de pares electrón-hueco del excitón del pozo cuántico. La muy baja intensidad de saturación Iₒ₀ₓ^incident=100 W cm^-2 conduce a una densidad de saturación Nₒ₀ₓ^100{0ex{0ex}K}=4. 310^10 cm^-2 en buena concordancia con un modelo teórico. Estos resultados son importantes para aplicaciones como láseres en el régimen de fuerte acoplamiento y dispositivos no lineales.