Mejoras en la resistencia y caracterización de defectos en FETs ferroeléctricos a través de la fluoración de la interfaz

Los FETs ferroeléctricos (FeFETs) basados en HfO 2 ofrecen excelente retención, escalabilidad y ventana de memoria. Sin embargo, lograr una alta resistencia sigue siendo un desafío. Aquí, se presenta un tratamiento de fluoración que permite una mejora significativa en la resistencia y estabilidad del dispositivo. Se aplican métodos de ruido y bombeo de carga para obtener una comprensión más profunda de la interacción de defectos subyacentes en los FeFETs.