Integración de alta densidad de transistores inorgánicos de película delgada y flexibles con excelente rendimiento y fiabilidad

Los transistores con semiconductores inorgánicos tienen un rendimiento y fiabilidad superiores en comparación con los transistores orgánicos. Sin embargo, son desfavorables para la construcción de productos electrónicos flexibles debido a su naturaleza frágil. A causa de este inconveniente, generalmente se colocan en partes no flexibles para evitar tensiones mecánicas, cargando los interconectores deformables, que enlazan estas partes rígidas, con la tensión del sistema completo. Por lo tanto, la densidad de integración debe sacrificarse cuando la flexibilidad es la primera prioridad, ya que la porción de cableado flexible debería aumentarse. En este estudio, mostramos la integración de alta densidad de transistores de película delgada de óxido que tienen un excelente rendimiento y fiabilidad al incrustar directamente los dispositivos en cuerdas serpenteantes flexibles para superar dicho compromiso. Los transistores incrustados no se ocultan de la deformación y soportan tensiones de hasta el 100% por sí mismos; por lo tanto, la densidad de integración se puede aumentar sin sacrificar la flexibilidad. Esperamos que nuestro enfoque pueda crear electrónicas flexibles más compactas con una funcionalidad de alta gama que antes.