Modulación Dinámica de la Resonancia Plasmónica Superficial de Nanocristales Semicondutores Dopados

Las características de absorción de plasmones superficiales localizados surgen a altos niveles de dopaje en nanocristales semicondutores, apareciendo en la región del infrarrojo cercano. Aquí mostramos que los plasmones superficiales de las películas de nanocristales de óxido de indio dopado con estaño pueden ser ajustados de manera dinámica y reversible mediante la modulación electroquímica post-sintética de la concentración de electrones. Sin intercalación de iones y la consiguiente degradación del material, inducimos un desplazamiento de > 1200 nm en la longitud de onda del plasmon y un cambio de casi tres veces en la densidad de portadores.