Efectos del tamaño cuántico en el margen óptico de banda del Si:H microcristalino

Hemos logrado fabricar materiales de Si:H en su mayoría cristalizados que tienen un amplio margen óptico de banda de hasta 2.4 eV mediante una técnica de pulverización reactiva con una baja temperatura de sustrato de 100 K. El análisis estructural mostró que los materiales consisten en pequeñas partículas de silicio cristalino rodeadas de átomos de hidrógeno, cuyos diámetros son de 20 a 30 Å. El ensanchamiento del margen óptico de banda se puede explicar por un efecto de pozo cuántico tridimensional en las pequeñas partículas.