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Los recientes avances en materiales ferroeléctricos (FE) de óxido han rejuvenecido el campo de las memorias no volátiles de bajo consumo y han hecho que las memorias FE sean una realidad comercial. A pesar de estos avances, el progreso en la FE-RAM comercial basada en titanato de zirconio de plomo se ha estancado debido a desafíos en el proceso. El reciente descubrimiento de la ferroelectricidad en nitruro de aluminio dopado con escandio (AlScN) presenta nuevas oportunidades para la integración directa de memoria con transistores lógicos debido a la baja temperatura de deposición de AlScN (aproximadamente 350 °C), haciéndolo compatible con la integración en el backend en lógica de silicio. Aquí, presentamos un dispositivo FE-FET compuesto por una capa dieléctrica de FE-AlScN integrada con un canal de MoS2 bidimensional. Nuestros dispositivos muestran una relación ON/OFF de ∼106, concurrente con una ventana de memoria normalizada de 0.3 V/nm. Los dispositivos también demuestran estados de memoria estables hasta 104 ciclos y retención de estado de hasta 105 s. Nuestros resultados sugieren que la combinación FE-AlScN/2D es ideal para memorias integradas y arquitecturas de computación basadas en memoria.
Liu et al. (Wed,) estudiaron esta cuestión.