Diseño y optimización de la terminación de anillos limitadores de campo para VDMOSFETs de 1200V 4H-SiC

Basado en la teoría de ionización por impacto, junto con una serie de modelos mejorados para el material 4H-SiC, se realizan simulaciones de las características de ruptura de MOSFETs de 4H-SiC con Anillos Limitadores de Campo (FLRs) en este artículo con Atlas de Silvaco TCAD. Se presentan MOSFETs de 1200V 4H-SiC con diferentes espacios de FLRs y se logra una tensión de ruptura máxima de 1940V con 15 FLRs optimizados. También se discute el método de optimización para el diseño de FLRs.