Impacto del ácido yodhuéico en el rendimiento de conmutación resistiva de la memoria de perovskita Cs3Cu2I5 sin plomo

En este trabajo, empleamos películas de perovskita Cs3Cu2I5 sin plomo como capas funcionales para construir dispositivos de memoria Al/Cs3Cu2I5/ITO e investigamos sistemáticamente el impacto en el rendimiento correspondiente de conmutación resistiva (RS) mediante la adición de diferentes cantidades de ácido yodhídrico (HI) en la solución precursor de Cs3Cu2I5. Los resultados demostraron que la cristalinidad y morfología de las películas de Cs3Cu2I5 pueden mejorarse y que el rendimiento de conmutación resistiva puede ser modulado al añadir una cantidad adecuada de HI. Las películas de Cs3Cu2I5 obtenidas al añadir 5 μL de HI exhiben los menores defectos de red y la superficie más plana (RMS = 13.3 nm). Además, el dispositivo de memoria, utilizando las películas optimizadas, tiene un bajo voltaje de electroformación (1.44 V), una gran relación on/off (∼65) y un largo tiempo de retención (104 s). El rendimiento de RS se ve afectado por la adición de HI, proporcionando una estrategia científica para mejorar el rendimiento de RS de las memorias basadas en perovskitas de haluros de yodo.