Contactos de NbSe 2 van der Waals casi ideales para electrónica CMOS de WSe 2

Los contactos fiables y de baja resistencia siguen siendo un cuello de botella central en dispositivos semiconductores bidimensionales (2D), donde el pinzado del nivel de Fermi (FLP) en las interfaces metal-semiconductores limita la inyección de portadores y enmascara el transporte intrínseco. Aquí, demostramos que los contactos metálicos van der Waals (vdW) basados en NbSe2 transferido permiten una operación tipo-p casi ideal en transistores de efecto de campo WSe2. Los dispositivos con contactos de NbSe2 exhiben características tipo-p claras, comportamiento óhmico y altas relaciones on/off, en contraste con los contactos metálicos convencionales de alta función de trabajo. Las mediciones dependientes de la temperatura revelan una altura de barrera Schottky reducida de aproximadamente 0.06 eV, en comparación con aproximadamente 0.26 eV para contactos de Pt. Las mediciones de cuatro puntas confirman una baja resistencia de contacto y un transporte dominado por el canal, evidenciando una inyección eficiente de portadores a través de la interfaz vdW. Además, se realiza un inversor de semiconductor complementario de óxido metálico (CMOS) libre de dopantes al integrar contactos tipo-p de NbSe2 y tipo-n de Sb en WSe2. Estos resultados establecen los contactos metálicos vdW como una estrategia efectiva para suprimir el FLP y permitir una electrónica 2D de alto rendimiento.