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La comprensión fundamental de los procesos inducidos por luz en perovskitas sigue siendo escasa. Un debate activo rodea la influencia del exceso de yoduro de plomo (PbI2) en el rendimiento del dispositivo, así como en las propiedades optoelectrónicas, donde se han reportado tanto rasgos beneficiosos como perjudiciales. Aquí, estudiamos su impacto en la cinética de recombinación de portadores de carga al adquirir simultáneamente el rendimiento cuántico de fotoluminiscencia y la fotoluminiscencia resolutiva en el tiempo en función de la longitud de onda de excitación (450–780 nm). La presencia de PbI2 en la película de perovskita se identifica a través de una firma espectroscópica única en el espectro de PLQY. Al sondear la recombinación en presencia y ausencia de esta firma, detectamos un mecanismo de recombinación bimolecular radiativa inducido por PbI2. Resolviendo espacialmente la fotoluminiscencia, determinamos que este proceso radiativo ocurre en un pequeño volumen en la interfaz PbI2/perovskita, que solo está activo cuando se generan portadores de carga en PbI2, y por lo tanto, proporciona una comprensión más profunda de cómo el exceso de PbI2 puede mejorar las propiedades de los dispositivos basados en perovskitas.
Merdasa et al. (Wed,) estudiaron esta cuestión.
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