Fotodetectores Schottky de ultravioleta profundo verticales y ciegos basados en sustratos de β-Ga2O3

Se ha fabricado un fotodetector Schottky de tipo vertical basado en un sustrato de β-Ga2O3 orientado en (100) mediante procesos simples de recocido térmico y evaporación al vacío. El fotodetector exhibió una relación de rectificación superior a 106 a ±3 V y mostró detección de luz en el ultravioleta profundo en polarización inversa. La respuesta espectral mostró sensibilidad ciega al sol con alta fotoreactividad de 2.6–8.7 A/W a longitudes de onda de 200–260 nm. Estos valores fueron de 35 a 150 veces mayores que aquellos derivados suponiendo que la eficiencia cuántica interna es unidad. Este hecho se atribuye a la multiplicación de portadores que ocurre en la región superficial altamente resistiva que está sujeta a un alto campo eléctrico interno de aproximadamente 1.0 MV/cm en la polarización inversa de 10 V.