Crecimiento de cristales y propiedades del monoarseniuro de boro

El arsenuro de boro, un semiconductor con un ancho de banda de 1.46 eV, se descompone irreversiblemente a temperaturas superiores a 900 °C, limitando así la temperatura del proceso de crecimiento de cristales. En este trabajo, se han preparado cristales individuales de arsenuro de boro, identificados mediante el método de difracción de rayos X, mediante el transporte químico de arsenuro de boro policristalino en presencia de un gradiente de temperatura. Los cristales transportados son de tipo p y tienen una resistividad de aproximadamente 0.01 Ω cm en el rango de temperatura de 77–500 °K. La concentración de huecos y la movilidad de Hall, esencialmente independientes de la temperatura en el rango de 77–300 °K, se han estimado en los rangos de 10^18–10^19 cm−3 y 100–400 cm²V−1sec−1, respectivamente. A pesar de las altas concentraciones de portadores, los cristales transportados son adecuados como sustratos para el crecimiento epitaxial de arsenuro de boro con distribución controlada de dopantes.